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Infineon Technologies IPB100N06S3L-04半导体,现货供应IPB100N06S3L-04接受批量订货

  • Infineon Technologies IPB100N06S3L-04半导体,现货供应IPB100N06S3L-04接受批量订货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
TO263-3-2
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
14040
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A
RoHS
• 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
• 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
• 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
• 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A
制造商Infineon
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压55 V
闸/源击穿电压+/- 16 V
漏极连续电流100 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)3.5 m Ohms
配置Single
最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263
封装Reel
下降时间55 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散214 W
上升时间58 ns
典型关闭延迟时间82 ns
零件号别名IPB100N06S3L04XT
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