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IPD25CN10N G分离式半导体产品原装热卖,专销Infineon Technologies IPD25CN10N G分离式半导体产品

  • IPD25CN10N G分离式半导体产品原装热卖,专销Infineon Technologies IPD25CN10N G分离式半导体产品
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
PG-TO252-3-11
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
12000
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IPx2xCN10N G
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 39µA
闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2070pF @ 50V
功率 - 最大71W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)
其它名称SP000096456
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