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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
PG-TO262
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
12000
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IPI60R299CP
产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 100V
功率 - 最大96W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装PG-TO262-3
包装管件
其它名称IPI60R299CPAKSA1IPI60R299CPXIPI60R299CPXKIPI60R299CPXKSA1SP000103249
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