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产品详细说明
供应英飞凌模块FZ1600R12KF4，英飞凌FZ1600R12KF4
制造商:Infineon
产品:IGBT 可控硅模块
配置：Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C1600 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：10 KW
最大工作温度：+ 150 C
封装 / 箱体：IHM
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
最小工作温度：- 40 C
安装风格：螺旋式
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其最显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位，IGBT是当代功率开关的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品，西门子在全球率先推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源
