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产品详细说明
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制造商Infineon
产品种类IGBT 晶体管
RoHS是
配置Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压1.7 V
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散1450 W
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装:500
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺,600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz, 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
Infineon第三代IGBT,采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术,具有较低的饱和压降,低达1.50V 。Infineon IGBT温升低,有较大的血崩耐量。
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