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数据列表 IRLR024NPbF
产品相片 TO-252
 
 
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏极至源极电压(Vdss) 55V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A
 
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 10A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 5V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 480pF @ 25V
 
功率 - 最大 45W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
 
供应商设备封装 D-Pak
 
包装 带卷 (TR)
 

IRLR024NTRPBF升逻辑电平栅极驱动 l表面贴装（IRLR024N）升直铅（IRLU024N） l先进工艺技术 l快速开关升全额定雪崩第五代的HEXFET®  国际整流器的功率MOSFET 利用先进的加工技术，以实现的每硅片面积可能onresistance。这样做的好处，结合快速切换速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET功率MOSFET 闻名，设计师提供与使用效率极高的设备各种广泛的应用。使用气相，红外，或表面安装设计的D-PAK 波峰焊技术。直铅的版本（IRFU系列）是通孔安装的应用程序。功耗水平高达1.5瓦在典型的表面贴装应用是可能的。

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