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供应英飞凌模块BSM200GA120DN2，英飞凌BSM200GA120DN2
产品详细说明
供应英飞凌模块BSM200GA120DN2，英飞凌BSM200GA120DN2
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
栅极—射极漏泄电流200 nA
功率耗散1550 W
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体62MM
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装：500
BSM200GA120DN2由于有集电极－栅极寄生电容的密勒效应影响，能引起意外的电压尖峰损害，所以设计时应让栅极电路的阻抗足够低以尽量消除其负面影响。BSM200GA120DN2栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大影响。所以设计时应综合考虑。BSM200GA120DN2应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的dv/dt和uce的峰值，达到短路保护的目的。BSM200GA120DN2在工作电流较大的情况下，为了减小关断过电压，应尽量减小主电路的布线电感，吸收电容器应采用低感型。
