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产品详细说明
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制造商Infineon
产品种类IGBT 晶体管
RoHS否
配置Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压1.7 V
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C1600 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散7.8 KW
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IHM 130X140-7
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装:8
IGBT是一种电压型控制器件,它所需要的驱动电流与驱动功率非常小,可直接与模拟或数字功能块相接而不须加任何附加接口电路。IGBT的导通与关断是由栅极电压UGE来控制的,当UGE大于开启电压UGE(th)时IGBT导通,当栅极和发射极间施加反向或不加信号时,IGBT被关断。
IGBT与普通晶体三极管一样,可工作在线性放大区、饱和区和截止区,其主要作为开关器件应用。在驱动电路中主要研究IGBT的饱和导通和截止两个状态,使其开通上升沿和关断下降沿都比较陡峭。
2 IGBT驱动电路要求