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北京万丰兴业科技有限公司
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供应英飞凌IGBT BSM100GB60DLC,英飞凌BSM100GB60DLC
产品详细说明
供应英飞凌IGBT bsm100gb60dlc,英飞凌bsm100gb60dlc
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品:IGBT 可控硅模块
配置Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
集电极—射极饱和电压1.95 V
Continuous Collector Current at 25 C130 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散445 W
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体34MM
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装：500
主要是强电流、高压应用,用于变频器、UPS电源领域,西门子电力半导体器件广泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统，家用电器、新能源、汽车电子等电力电子设备中。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz， 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。温升低，有较大的血崩耐量。第三代IGBT，采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术，具有较低的饱和压降，低达1.50V 。
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