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北京万丰兴业科技有限公司
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产品详细说明
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制造商Infineon
RoHS否
产品IGBT Silicon Modules
配置Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO3300 V
集电极—射极饱和电压3.4 V
Continuous Collector Current at 25 C2000 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散14.7 KW
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IHM130
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格SMD/SMT
标准包装:2