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产品详细说明
供应英飞凌IGBT fz800r12kl4c,英飞凌fz800r12kl4c
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS否
产品IGBT Silicon Modules
配置Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C1300 A
栅极—射极漏泄电流600 nA
功率耗散5 KW
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IHM130
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格SMD/SMT
标准包装：8
