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供应英飞凌模块FS75R06KE3，英飞凌FS75R06KE3
产品详细说明
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制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
Continuous Collector Current at 25 C75 A
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体Econo 2
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装：10
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其最显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位，IGBT是当代功率开关的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品，西门子在全球率先推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz， 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
Infineon第三代IGBT，采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术，具有较低的饱和压降，低达1.50V 。Infineon IGBT温升低，有较大的血崩耐量。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz， 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
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