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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Fairchild Semiconductor
封 装:
TO-3P
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
351
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述IGBT 晶体管
RoHS
• 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
• 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
• 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
• 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:IGBT Transistors
制造商Fairchild Semiconductor
产品种类IGBT 晶体管
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.3 V
栅极/发射极最大电压+/- 25 V
在25 C的连续集电极电流24 A
栅极—射极漏泄电流100 uA
功率耗散180 W
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体TO-3P-3
封装Tube
集电极最大连续电流 Ic24 A
最小工作温度- 55 C
安装风格Through Hole
工厂包装数量30
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