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供应ON Semiconductor分离式半导体产品MUN5211DW1T1G,MUN5211DW1T1G原装正品,MUN5211DW1T1G现货热卖

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
ON Semiconductor
数 量:
30000
 
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产品咨询直线:755-83292463

产品详细说明

描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-
功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)
其它名称MUN5211DW1T1GOSTR