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供应SI7115DN-T1-GE3半导体,Vishay/Siliconix品牌半导体SI7115DN-T1-GE3 原装现货

  • 供应SI7115DN-T1-GE3半导体,Vishay/Siliconix品牌半导体SI7115DN-T1-GE3 原装现货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
货源来自授权代理商
厂 家:
Vishay/Siliconix
批 号:
11+
数 量:
12000
 
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产品咨询直线:755-83292463

产品详细说明

描述MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V
RoHS
• 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
• 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
• 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
• 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V
制造商Vishay
产品种类MOSFET
晶体管极性P-Channel
汲极/源极击穿电压150 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流2.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)295 mOhms
配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK 1212
封装Reel
下降时间34 ns, 35 ns
最小工作温度- 50 C
功率耗散3700 mW
上升时间95 ns, 28 ns
工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间38 ns, 52 ns
零件号别名SI7115DN-GE3