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Toshiba TPC8114(TE12L,Q)半导体,现货供应TPC8114(TE12L,Q)接受批量订货

  • Toshiba TPC8114(TE12L,Q)半导体,现货供应TPC8114(TE12L,Q)接受批量订货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
货源来自授权代理商
厂 家:
Toshiba
批 号:
08+
数 量:
3000
 
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产品咨询直线:755-83292463

产品详细说明

典型栅极电荷@Vgs180 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds7480 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度4.4mm
封装类型SOP
尺寸5 x 4.4 x 1.5mm
引脚数目8
工作温度-55 °C
最大功率耗散1900 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.005
最大连续漏极电流18 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度1.5mm