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产品分类
IPB025N10N3 G特低价供应Infineon Technologies分离式半导体产品，IPB025N10N3 G分离式半导体产品，厂家直销 量大优惠
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IPB025N10N3 G |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 275µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-7 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB025N10N3 G-NDIPB025N10N3 GTRSP000469888 |
