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产品分类
IRFD110PBF特低价供应Vishay/Siliconix分离式半导体产品，IRFD110PBF分离式半导体产品，厂家直销 量大优惠
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| 数据列表 | IRFD110 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单路 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | Standard |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 600mA, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300", 7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFD110PBF |
