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Ample Solutions(深圳安普达迅电子）
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BSM100GB120DN2半导体原装热卖，专销Infineon Technologies BSM100GB120DN2半导体
产品详细说明
| 描述 | IGBT 模块 1200V 100A DUAL |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：IGBT Modules 1200V 100A DUAL |
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Half Bridge Module |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 功率耗散 | 800 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge2 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 安装风格 | Screw |
| 工厂包装数量 | 500 |
