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Ample Solutions(深圳安普达迅电子）
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产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | BSP125 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 45 欧姆 @ 120mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 94µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSP125L6327XTSP000089204 |
