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Ample Solutions(深圳安普达迅电子）
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产品详细说明
| 描述 | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品培训模块 | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件 | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Z-FET™ |
| FET 型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 管件 |
