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典型关断延迟时间 | 50 ns |
典型接通延迟时间 | 14 ns |
典型栅极电荷@Vgs | 63 nC V @ 10 |
典型输入电容值@Vds | 1400 pF V @ 25 |
安装类型 | 通孔 |
宽度 | 4.7mm |
封装类型 | TO-220,TO-220AB |
尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
引脚数目 | 3 |
工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 125000 mW |
最大栅源电压 | ±20 V |
最大漏源电压 | 400 V |
最大漏源电阻值 | 0.55 |
最大连续漏极电流 | 10 A |
最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 功率 MOSFET |
通道模式 | 增强 |
通道类型 | N |
配置 | 单 |
长度 | 10.41mm |
高度 | 9.01mm |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |