描述 | Transistors Bipolar (BJT) - |
制造商 | Diodes Inc. |
晶体管极性 | NPN |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 80 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
配置 | Single |
最大工作频率 | 200 MHz |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-92 |
集电极连续电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 625 mW |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |