产品咨询直线:0755-83227865
描述 | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | PowerTrench® |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 500 毫欧 @ 1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 153pF @ 50V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDC3601N-NDFDC3601NTR |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
---|---|---|---|
场地合同: | 已核查 | 核查时间: |