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描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 680mA,460mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDC6321C-ND |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |