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描述 | MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 8.2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1872pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDS4685-NDFDS4685TR |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |