描述 | MOSFET |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 6 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.032 Ohms |
配置 | Dual Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOP-8 |
下降时间 | 38 ns, 40 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 57 ns, 33 ns |
典型关闭延迟时间 | 32 ns, 50 ns |
具体铺位: | 深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦A座2412室 ; 门店地址:深圳市福田区中航路都会电子城三楼3C053室 邮编:518031 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |