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深圳东升宏日电子科技有限公司
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【Vishay/Siliconix】半导体IRFBE30PBF全系列进口国产优势供应 销量第一
产品详细说明
| 描述 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.1 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 3000 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 30 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 125000 mW |
| 上升时间 | 33 ns |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
