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深圳东升宏日电子科技有限公司
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Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST半导体,现货供应ISL9N312AS3ST接受批量订货
产品详细说明
描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized |
RoHS | 镉(Cd)/镉化合物 0.01% 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10% 铅(Pb)/铅化合物 0.10% 汞(Hg)/汞化合物 0.10% 多溴联苯(PBB)0.10% 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 58 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.02 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel |
下降时间 | 30 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 75 W |
上升时间 | 60 ns, 30 ns |
工厂包装数量 | 800 |
典型关闭延迟时间 | 25 ns, 45 ns |
零件号别名 | ISL9N312AS3ST_NL |