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深圳东升宏日电子科技有限公司
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产品详细说明
描述 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 4.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SSOT,SuperSOT-8 |
供应商设备封装 | 8-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |