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IRF1010EPBF-分立半导体产品 > FET

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交易说明:
保证进口原装无铅
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厂 家:
IR
封 装:
TO220
批 号:
12+
数 量:
20000
 
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产品详细说明

数据列表 IRF1010EPbF
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 84A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3210pF @ 25V
功率 - 最大值 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRF1010EPBF