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深圳市翼鑫电子
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产品分类
供应高频管PBR951
产品详细说明
PBR951硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。
PBR951参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:1.5V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系数hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集电极允许电流IC：0.1（A）
集电极最大允许耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪声系数NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
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