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深圳恒迈伟业电子技术有限公司
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产品分类
场效应管MOSFET(2)电源/稳压器(1)显示屏/显示器件/配件(3)其他未分类(14)
IGBT单管分离式半导体产品IGBT驱动单片机处理器
- MOSFET(2)
- 模块电源/电源模块(1)
- TFT LCD液晶显示屏(模块)(2)
- 驱动板(1)
供应英飞凌 IGBT单管 IKW40N120H3
- 产品价格：
- ￥20/ 1pcs
- 交易说明：
- 原装正品 可以公司看货
- 厂 家：
- INFINEON
- 封 装：
- TO-247
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 2640
产品咨询直线：0755-83941821
产品详细说明
英飞凌K40H1203 / IKW40N120H3 完美替代K40T120 (IKW40T120) / K40T1202 (IKW40N120T2) IGBT单管
英飞凌K40H1203 / IKW40N120H3是英飞凌第三代1200V高开关速度IGBT单管, 能够完美替代K40T120 / K40T1202 ，专用于焊接、太阳能发电逆变器和UPS等IGBT高频应用领域。
K40H1203( IKW40N120H3) / K40T120 (IKW405T120) / K40T1202 (IKW40N120T2) 参数比较说明：
Type VCE IC VCE(sat)
Tvj=
5°C Tvj
(max) Marking Package
K40H1203 / IKW40N120H3 特点：
•最高结温度为175℃
•非常低VCEsat
•低开关损耗
•较高的开关坚韧性
•内置快速恢复反并联二极管
•根据JEDEC1合格为目标
•无铅引脚电镀符合RoHS标准
什么是IGBT模块？
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
