深圳市华冉电子科技有限公司 （非本站正式会员）

单电源操作
- 全电压范围：2.7至3.6伏的读取和写入
操作电池供电的应用
- 调节电压范围：3.0至3.6伏读
写入操作，并具有较高的相容性
性能3.3伏的微处理器
Ň0.32微米制程技术制造
n高的表现
- 全电压范围：存取时间为70 ns的快速
- 调节电压范围：存取时间快，
60纳秒
Ň超低功耗（典型值在
5兆赫）
- 自动休眠模式：1μA
- 待机模式：1μA
- 读取模式：7毫安
- 编程/擦除模式：15毫安
n灵活的部门架构
- 八个64 KB的扇区
- ，部门可擦除的任意组合;
支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
在该部门的任何程序或擦除操作
部门可以通过编程锁定
设备解锁绕道程序命令
- 降低了整个编程的时间时发出
多个程序的命令序列
n内嵌算法
- 嵌入式擦除算法自动
预编程和擦除整个芯片或任何
指定的部门相结合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址写入数据，并验证
N最小100万次写/擦除周期
保证
N 20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
n包装选项
- 32引脚PLCC
- 32针TSOP
Ň与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容singlepower
供应闪光
- 高级无意写保护
n数据＃投票和切换bits
- 提供了一个软件程序检测方法
或擦除周期完成
Ň擦除挂起/恢复
- 支持读取数据或编程数据
一个扇区不被删除AM29LV040B是一个单电源供电，4兆，3.0
伏唯一的快闪记忆体装置，524,288
字节。这些数据将出现在DQ0-DQ7。该设备是
可在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。所有
读取，擦除和编程操作是完成
只使用一个单一的电源。该设备还可以
在标准EPROM编程器编程。
该器件提供了访问时间为60，70，90，和120纳秒
允许高速微处理器操作，无需
等待状态。为了消除总线争用，该设备具有
独立的控制引脚芯片使能（CE＃），写使能
（WE＃）和输出使能（OE＃）控制正常
读取和写入操作。
该设备只需要单电源供电（2.7
V-3.6V）进行读取和写入功能。内部
产生和调节的电压被提供给
编程和擦除操作。
该设备是完全的命令集兼容的
JEDEC单电源闪存标准。命令
被写入命令寄存器使用
标准的微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到内部状态机
控制了擦除和编程电路。写
周期也可以内部锁存地址和数据
编程和擦除操作。阅读
数据输出的设备是从其他类似阅读
Flash或EPROM器件