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AM29F040B是4兆，5.0伏只快闪记忆体
组织了8位，524,288字节。 “
512字节的数据被分成8个行业的64
KB的灵活的擦除能力。的8位
数据显示DQ0-DQ7。 AM29F040B提供
32引脚PLCC，TSOP，和PDIP封装。此设备
被设计成在系统编程与标准
系统5.0伏的VCC电源。 A 12.0伏VPP是不
需要写或擦除操作。该设备可以
也可以在标准EPROM编程器编程。
该器件是采用AMD的0.32微米制程技术
技术，并提供所有的功能和
好处AM29F040，制造
采用0.5微米工艺技术。在addtion，
，AM29F040B有第二个触发位，DQ2，还提供
的能力，计划在擦除挂起模式。
的标准的AM29F040B提供访问55次，
70，90，和120纳秒，允许高速微处理器
操作，无需等待状态。为了消除总线
争的器件具有独立的芯片使能（CE＃），
写使能（WE＃）和输出使能（OE＃）控制。
该设备只需要一个5.0伏的电源
读取和写入功能。内部
产生和调节的电压被提供给
编程和擦除操作。该设备是完全的命令集兼容的
JEDEC单电源闪存标准。命令
被写入命令寄存器使用
标准的微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到内部状态机
控制了擦除和编程电路。写周期自动
倍的程序的脉冲宽度，并验证
正常的细胞保证金。
设备擦除发生执行擦除命令
序列。这将启动嵌入式擦除
算法的内部算法，自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
然后再执行擦除操作。在擦除，
设备自动倍的擦除脉冲的宽度和
验证正确的电池边缘。
主机系统可以检测是否有程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7（数据＃
轮询）和DQ6（切换）状态位。经过程序
或擦除周期已完成，设备已准备好
读取阵列数据或接受另一个命令。
该扇区擦除架构允许内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该器件可完全
从工厂运出时被删除。
硬件数据保护措施包括低
VCC检测器，自动抑制写操作
在电源转换。硬件部门
保护功能禁止编程和擦除
操作的存储器的扇区的任何组合。
这样就可以实现通过编程设备。
擦除挂起功能可以让用户将
删除上举行的任何一段时间内读取数据，
或程序数据，没有被选择的任何扇区
删除。因此，可以实现真实背景擦除。
该系统可以将设备进入待机模式。
在此模式下，大大降低功率消耗。
AMD的闪存技术，结合多年的Flash
内存制造经验，生产的
最高水平的质量，可靠性和成本效益。
该器件的电擦除所有位在