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特点:
•高速访问
军事:25/35/45/55/70ns(max)。
——商业:20/25/35/45/55/70ns(max)。
•低功耗操作
- IDT7134SA
活动:500 mw(打字)。
待机:5 mw(打字)。
- IDT7134LA
活动:500 mw(打字)。
待机:1 mw(打字)。
•完全异步操作从任一端口
•电池备份operation-2V数据保留
•ttl兼容;单5 v(±10%)电源
•提供几种流行的密封和塑料包
•军事产品符合mil - std - 883 B类
•工业温度范围(-40°C到+ 85°C)是可用的,测试,以军事电子规格。

IDT7132LA35CB是一种高速的IDT7134 4 k x 8双端口静态RAM，设计用于在系统芯片上的硬件端口
本部分适用于那些系统不能容忍等待状态或设计能够在外部仲裁或承受竞争当双方同时访问相同的双端口RAM位置。
提供了两个独立的港口IDT7134的与独立控制、地址、和I / O别针,允许独立的,异步访问读取或写入任何位置内存。

这是用户的责任,确保数据完整性当同时访问相同的内存位置，从两个港口，自动断电功能,控制通过CE、允许芯片上的电路的每个端口进入一个非常低待机功耗模式。
装配式使用的CMOS高性能IDT技术,这些双端口通常只有500千瓦功率。低功耗(LA)版本提供电池备份数据，保留功能,每个端口通常会消耗200兆瓦，从2 v的电池。
军事级产品生产在合规，最新修订的mil - std - 883 B类,使它适合于军事应用要求温度 ，最高水平的性能和可靠性。