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现有数量
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制造商
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International Rectifier
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制造商零件编号
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IRF1010NSPBF
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描述
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MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
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对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
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无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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标准包装
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50
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类别
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分立半导体产品
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家庭
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FET - 单
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系列
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HEXFET®
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FET 类型
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MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 功能
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标准
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漏源极电压 (Vdss)
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55V
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电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）
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85A
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不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
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11 毫欧 @ 43A，10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 250µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
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120nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
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3210pF @ 25V
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功率 - 最大值
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180W
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安装类型
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表面贴装
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封装/外壳
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TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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供应商器件封装
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D2PAK
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包装
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管件
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