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ATP8624-A2的资料说明：
1，高速差分信号（TX +和TX-，RX + RX-）应改为微带上
第1层。没有通过或存根这些关键的痕迹。差分对的走线长度应该是相同的。
2，阻抗应控制在100欧姆+ - 差分对的5％，和50欧姆+ - 10％为单端。
3，保持差分对的走线长度尽可能短。避免急转弯，使用圆角。强烈建议，让他们内两寸长。确保这些关键的痕迹路由附近没有其他信号。这些差分对信号和其他信号之间保持良好的分离，最小的50密耳间隙建议。
4，推荐板堆叠和路由的例子：
材料：FR4，介电常数为4.2，总厚度为62密耳。
厚度
变化对宽度
差分对间距
第1层，信号
0.5盎司
8密耳
12密耳
FR4预浸
4密耳
第2层，地面
1盎司
FR4预浸
47密耳
3层，电源
1盎司
FR4预浸
4密耳
第4层，信号
0.5盎司


5，当差的布局就无法实现，例如连接器周围，颈部向下技术，强烈建议保持单端50欧姆。


6，反焊盘对于其他信号威盛是不可避免的，需要提供足够的间隙。


7，地方交流耦合10nF的电容尽可能靠近连接器端，最大限度地减少焊垫面积。电容器的布局可结合SATA连接器，以减少阻抗不连续性。使用较小的足迹，如0402，以尽量减少封装寄生。


8，使用表面贴装SATA连接器，避免过焊接，并尽量减少其宽度RX和TX焊垫。


9，独立的模拟电源岛顶层VDDA1 VDDA2 VDDA3，等等......通过用于连接到磁珠应放在靠近器件电源引脚。


10，建议从的核心VDD1.8V电源平面通过噪音抑制铁氧体磁珠，应提供30dB或更多的衰减频率低于650 MHz的模拟电源VDDA应隔离。


11，将去耦电容，铁氧体磁珠后0.1uF和0.01uF的价值。将所有的去耦电容尽量靠近器件引脚尽可能。


12，地平面应该是第2层和固体下方的高速差分对提供良好的返回路径。


13，投入足够的接地针，整个板。


14，每个接地引脚（GND）必须具有扎实的连接与PCB GND平面至少有2个过孔或其他痕迹。


15，应避免信号跨越分割电源平面。如果有，添加一些旁路电容跨分割平面。
例如，如果一些跨1.8V和3.3V的平面上的相邻层的信号，然后把一个0.1uF的电容，连接1.8V和3.3V附近的信号。
TQFP注意事项：
这是建议更好的散热暴露焊垫焊接到PCB地面。
着陆区的大小应不小于暴露焊垫尺寸（6.35x6.35mm）。
不应该有任何非GND上的印刷电路板的通孔暴露焊垫区的下方，因为它们具有短的机会，在回流焊接过程中与暴露焊垫。

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