１）V DS :最大工作电压５００v
.２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。
３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ
４）ＩＤ ２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ
５）ＩＤＭ最大工作电流３２Ａ
６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ
７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns
８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度
IRF840 概述IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF840为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。 新系列的低电荷Power MOSFET IRF840LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF840LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF840LC减少了转换损耗，效能得到强化。 TO-220封装的IRF840普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF840得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF840适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗。IRF840的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。 |
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