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深圳市福田区星河源电子展销柜
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- 厂家直销，现货库存，价格优势
- 配送说明：
- 货到付款
- 厂 家：
- APEC
- 封 装：
- SOT23
- 批 号：
- 2013(Rohs)
- 数 量：
- 99000
产品咨询直线：0755-83294644
产品详细说明
Electrical Characteristics@Tj
=25
o
C(unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 - - V
ΔBVDSS
/ΔTj Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, ID=1mA - 0.1 - V/℃
RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=4.5V, ID=3.6A - - 85 mΩ
VGS=2.5V, ID=3.1A - - 115 mΩ
VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS, ID=250uA 0.5 - 1.2 V
gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=3.6A - 6 - S
IDSS Drain-Source Leakage Current (Tj=25
o
C) VDS=20V, VGS=0V - - 1 uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=70
o
C) VDS=20V ,VGS=0V - - 10 uA
IGSS Gate-Source Leakage VGS=±12V - - ±100 nA
Qg Total Gate Charge
2
ID=3.6A - 4.4 - nC
Qgs Gate-Source Charge VDS=10V - 0.6 - nC
Qgd Gate-Drain ("Miller") Charge VGS=4.5V - 1.9 - nC
td(on) Turn-on Delay Time
2
VDS=10V - 5.2 - ns
t
r Rise Time ID=3.6A - 37 - ns
td(off) Turn-off Delay Time RG=6Ω,VGS=5V - 15 - ns
t
f Fall Time RD=2.8Ω - 5.7 - ns
Ciss
Input Capacitance VGS=0V - 145 - pF
Coss Output Capacitance VDS=10V - 100 - pF
Crss Reverse Transfer Capacitance f=1.0MHz - 50 - pF
Source-Drain Diode
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units
IS Continuous Source Current ( Body Diode ) VD=VG=0V , VS=1.2V - - 1 A
ISM Pulsed Source Current ( Body Diode )
1
- - 10 A
VSD Forward On Voltage
2
IS=1.6A, VGS=0V - - 1.2 V
