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上海玖石电子科技有限公司
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供应VISHAY低压MOSFET IRFD120优势库存 原装正品IRF120PBF
- 产品价格：
- ￥2/ 1pcs
￥1.8/ 1k
￥1.7/ 10k
- 交易说明：
- T/T IN ADVANCE
- 配送说明：
- 快递
- 厂 家：
- VISHAY
- 封 装：
- HD-1
- 批 号：
- 13+
- 数 量：
- 100000
产品咨询直线：021-18964762947
产品详细说明
NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系
MOSFET在线性区操作的截面图
MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement
mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold
region） 当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold
voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。
mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold
region） 当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold
voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。
但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的积体电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。