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深圳市坚兴电子有限公司
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产品详细说明
图像仅供参考,请参阅产品规格书
制造商:Central Semiconductor
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
最大直流电集电极电流:0.4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:10 at 100 mA at 5 V
配置:Single
最大工作频率:500 MHz
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-39
封装:Box
集电极连续电流:400 mA
最小工作温度:- 65 C
功率耗散:1 W
工厂包装数量:500
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