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    SVF2N60M/F/T/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。 
特点 
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V      ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快  ∗ 提升了dv/dt 能力

极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 
参数范围 
参 数 名 称 
符号 SVF2N60M/D 
SVF2N60T 
SVF2N60F 
单位
漏源电压 VDS600 V 
栅源电压 VGS±30 V 
漏极电流 ID2.0 A 
漏极脉冲电流 IDM8.0 A 
34 44 23 W 耗散功率(TC=25°C) 
- 大于25°C每摄氏度减少   PD0.27 0.35 0.18 
W/°C单脉冲雪崩能量(注 1) EAS115 mJ 
工作结温 TJ-55～+150 °C 贮存温度 
Tstg
-55～+150 
°C 
热阻特性 
参数范围 
参  数  名  称 符  号 SVF2N60M/D 
SVF2N60T 
SVF2N60F 
单位 
芯片对管壳热阻 RθJC3.7 2.86 5.56 °C/W 芯片对环境的热阻 
RθJA
110 62.5 120 
°C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 
参  数 符 号 测试条件 
最小值
典型值 最大值 
单位 
漏源击穿电压 BVDSSVGS=0V， ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSSVDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSSVGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on)
VGS=10V，ID=1.0A 
-- 3.7 4.2 Ω 
输入电容 Ciss -- 250.1 -- 
输出电容 Coss -- 35.7 -- 
反向传输电容 Crss VDS=25V，VGS=0V， 
f=1.0MHz 
-- 1.1 -- pF 开启延迟时间 td(on) 
-- 9.2 -- 
开启上升时间 tr -- 23.4 -- 
关断延迟时间 td(off) -- 15.3 -- 关断下降时间 tf VDD=300V，ID=2.0A， RG=25Ω                            (注2，3)-- 20.1 -- 
ns 
栅极电荷量 Qg -- 5.67 --