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供应存储器ICK9F1G08UOC-PCBO,优势库存K9F1G08UOC-PCBO
- 产品价格：
- 交易说明：
- 全新原装SAMSUNG内存芯片NAND FLASH 128M K9F1G08UOC-PCBO
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- TSOP48
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 96580
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
存储器IC全新原装SAMSUNG内存芯片NAND FLASH 128M K9F1G08UOC-PCBO TSOP48
存储器IC地址寄存器（MAR）和存储器数据寄存器（MDR）是主存和CPU之间的接口。MAR可以接受来自程序计数器的指令地址或来自地址形成部件的操作数地址，以确定要访问的单元。MDR是向主存写入数据或从主存读出数据的缓冲部件。MAR和MDR从功能上看属于主存，但在小型计算机、微型计算机中常放在CPU内。
CPU与主存的硬连接是两个部件之间联系的物理基础，具体完成读或写还需要两个部件之间的软连接，即CPU向主存发出的读或写命令，这才是两个部件之间有效工作的关键。读写的基本操作如下：
（1）读。读操作是指从CPU送来的地址所指定的存储单元中取出信息，再送给CPU，其操作过程如下：
① 地址→MAR→AB：CPU将地址信号送至地址总线；
② Read：CPU发出读命令；
③ Wait for MFC：等待存储器工作完成信号；
④ M(MAR)→DB→MDR：读出信息经数据总线送至CPU。
（2）写。写操作是指将要写入的信息存入CPU所指定的存储单元中，其操作过程如下：
① 地址→MAR→AB：CPU将地址信号送至地址总线；
② 数据→MDR→DB：CPU将要写入的数据送至数据总线；
③ Write：CPU发出写命令；
④ Wait for MFC：等待存储器工作完成信号。
由于CPU和主存的速度存在着差距，所以两者之间的速度匹配是很关键的。通常有两种匹配方式：同步存储器读取和异步存储器读取。上面给出的读写基本操作是以异步存储器读取来考虑的，CPU和主存之间没有统一的时钟，由主存工作完成信号（MFC）通知CPU“主存工作已完成”。
