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产品分类
Infineon SPA11N60C3半导体，现货供应SPA11N60C3接受批量订货
产品详细说明
| 典型关断延迟时间 | 44 ns |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC V @ 10 |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF V @ 25 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 宽度 | 4.85mm |
| 封装类型 | PG-TO-220FP |
| 尺寸 | 10.65 x 4.85 x 9.83mm |
| 引脚数目 | 3 |
| 工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 33 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.38 |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N |
| 长度 | 10.65mm |
| 高度 | 9.83mm |
