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IPD60R1K4C6特低价供应Infineon Technologies分离式半导体产品,IPD60R1K4C6分离式半导体产品,厂家直销 量大优惠

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
【★★全新原装正品现货!假一赔十,彭冬梅15013723799★★】
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
TO252-3
批 号:
12+
数 量:
20000
 
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产品咨询直线:0755-83267369

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IPD60R1K4C6
产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 1.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs9.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 100V
功率 - 最大28.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)
其它名称IPD60R1K4C6TRSP000799134