深圳龙泰信半導體有限公司 （非本站正式会员）

2N7002的参数：

标准包装：1

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchMOS

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：300mA

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA, 10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs：-

输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V

功率 - 最大：830mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23

包装：剪切带 (CT)

从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide, SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide, GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。