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广州市越秀区江鑫电子商行
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产品分类
现货IRF740N 场效应管
产品详细说明
|
【器件名称】 |
场效应管 |
【生产厂商】 |
IR |
|
【器件型号】 |
IRF740N |
【生产日期】 |
13+ |
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【器件封装】 |
TO220 |
【备注说明】 |
原装进口正品 |
江鑫电子是一家专业的电子元件供应商。欢迎来电咨询020-83397756江先生
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | 型号： | IRF740 |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | 用途： | MOS-FBM/全桥组件 |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | 沟道类型： | N沟道 |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | 导电方式： | 增强型 |
工作原理： 1栅源电压V(GS)的控制作用:
当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。
当V(GS)>V(T)时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的V(GS)值称为该管的开启电压V(T)。这时，若在漏源间加电压V(DS)，就能产生漏极电流I(D)，即管子开启。V(GS)值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样V(GS) 电压作用下,I(D)越大。这样，就实现了输入电压V(GS)对输出电流I(D)的控制。 2漏源电压V(GD)对沟道导电能力的影响:
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