广州市越秀区江鑫电子商行 (非本站正式会员)

广州市越秀区江鑫电子商行

营业执照:已审核经营模式:经销商所在地区:广东 广州企业网站:
http://www.ic543.com/

收藏本公司 人气:236114

联系方式

  • 地址:广州市越秀区惠福西路171号二楼212室
  • 联系人:江生
  • 电话:020-83397756/83178413
  • 传真:020-83178413
  • 手机:13802923989
  • QQ: QQ:106561589QQ:648831543 
  • E-mail:root@ic339.com

现货IRF740N 场效应管

  • 现货IRF740N 场效应管
产品价格:
2.00/ 1pcs
厂 家:
IR
封 装:
TO220
批 号:
13+
数 量:
6550
 
点此询价

产品咨询直线:020-83397756

产品详细说明

【器件名称】

场效应管

【生产厂商】

IR

【器件型号】

IRF740N

【生产日期】

13+

【器件封装】

TO220

【备注说明】

原装进口正品

 

江鑫电子是一家专业的电子元件供应商。欢迎来电咨询020-83397756江先生

封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号: IRF740
材料: GE-N-FET锗N沟道 用途: MOS-FBM/全桥组件
品牌: FAIRCHILD/仙童 沟道类型: N沟道
种类: 绝缘栅(MOSFET) 导电方式: 增强型

 

 

工作原理:

1栅源电压V(GS)的控制作用:
    当V(GS)=0V时,因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离,因此,即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时,通过栅极和衬底间的电容作用,将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥,同时,使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层,并与空穴复合而消失,结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通,处于截止状态。
    当V(GS)>V(T)时,衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层,使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量,该薄层转换为N型半导体,称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的V(GS)值称为该管的开启电压V(T)。这时,若在漏源间加电压V(DS),就能产生漏极电流I(D),即管子开启。V(GS)值越大,沟道内自由电子越多,沟道电阻越小,在同样V(GS) 电压作用下,I(D)越大。这样,就实现了输入电压V(GS)对输出电流I(D)的控制。

2漏源电压V(GD)对沟道导电能力的影响:

  

http://www.ic543.com