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概述：
  MEM2310XG系列 N沟道增强型功率场 效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。   
  MEM2310XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点： 
z 30V/5.8A 
  RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A 
  RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A 
  RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A 
z 超大密度单元、极小的RDS(ON)） 
z 超小封装：SOT23  
典型应用:
z 电池电源管理  
z 高速开关 
z 低功率 DC DC 转换