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描述:
MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点:
●-20V/-2.8A
●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●超小封装：SOT23

应用:
●电源管理
●负载开关
●电池保护